MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量移动LPDDR SDRAM，采用256M x 32位的组织架构。该器件基于并联接口，在200MHz时钟频率下运行，可实现高速数据访问，其访问时间低至5ns，写周期时间为15ns，能够满足高性能计算对内存带宽的即时需求。
其核心优势在于优异的功耗控制，工作电压范围为1.7V至1.95V，并集成了多项高级电源管理功能，非常适合电池供电的移动设备。器件采用168-VFBGA小型化封装，工作温度范围覆盖-25°C至85°C，确保了在紧凑空间及宽温环境下的可靠性与稳定性，主要面向智能手机、平板电脑及嵌入式系统等应用。
- 型号:MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
- 想获取MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
