MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR是美光科技推出的一款大容量并行接口NAND闪存芯片，总存储容量高达6Tb（768GB）。该器件采用非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其核心优势在于333MHz的高时钟频率并行接口，能够实现高速的数据传输，满足对带宽有严苛要求的应用。

该芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性良好，并支持0°C至70°C的商业级工作温度。其设计适用于自动化生产的卷带包装。尽管产品状态为停产，但其高密度与大带宽的特性，使其在企业存储、工业数据记录等需要处理海量数据的场景中，依然是一个值得关注的高性能存储解决方案。

• 型号:MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:6Tb
• 存储器组织:768G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
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