MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量、基于NAND技术的并行接口闪存芯片。该器件采用100-LBGA封装，工作电压为2.7V至3.6V，其核心架构支持高速数据传输，时钟频率可达100MHz，适合需要快速读写大量非易失性数据的应用场景。
作为一款大容量存储解决方案，它提供了可靠的数据保持能力，并兼容标准的表面贴装工艺。尽管该型号目前已停产，但其技术规格表明它曾主要服务于对存储密度和传输速率有较高要求的嵌入式系统与工业设备领域。
- 型号:MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-LBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-LBGA
- 供应商器件封装:100-LBGA（12x18）
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