NAND512R3A2SZA6E是美光科技推出的一款512Mb容量、并行接口的NAND闪存芯片。它采用64M x 8位的组织架构，提供50ns的快速页写入和访问时间，并支持1.7V至1.95V的低电压操作，有效降低了系统功耗。
该器件采用63-TFBGA封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备良好的环境鲁棒性，适用于要求非易失性数据存储的各类嵌入式应用。其并行接口设计便于集成，能够为工业控制、网络设备和消费电子等领域的固件、参数及数据存储提供可靠的解决方案。
- 型号:NAND512R3A2SZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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