M58LT128KST8ZA6E是美光科技生产的一款128Mb容量并行NOR闪存芯片，采用8M x 16位的组织架构。该器件基于1.8V低电压供电设计，支持高达52MHz的工作频率，并具备85ns的快速访问与写入时间，能够满足对数据吞吐和实时性有较高要求的嵌入式应用。
芯片采用64-TBGA封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在工业级环境下的稳定运行。其并行接口便于与主流微处理器直接连接，主要用于存储需要快速读取和执行的系统引导代码、应用程序以及关键参数，是工业控制、网络通信和汽车电子等领域的可靠存储解决方案。
- 型号:M58LT128KST8ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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