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MICRON
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的图片

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
原厂封装:封装:376-WFBGA(14x14)
优势价格,MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR是美光科技生产的一款48Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用2133MHz高时钟频率和64位宽接口,旨在为移动及嵌入式应用提供卓越的数据吞吐带宽与系统响应速度。

其核心卖点在于优异的能效比,工作电压仅为1.1V,并采用紧凑的376-WFBGA封装,非常适合空间和功耗敏感的设计。同时,它支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在各类环境条件下的稳定运行,适用于从消费电子到工业领域的多种高性能计算场景。

  • 型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:376-WFBGA(14x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb
  • 存储器组织:768M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:376-WFBGA
  • 供应商器件封装:376-WFBGA(14x14)
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