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MICRON
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR的图片

MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(9x14)
优势价格,MT41K256M16HA-125 AAT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K256M16HA-125 AAT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K256M16HA-125 AAT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器,采用256M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,核心时钟频率为800MHz,实现高达1600MT/s的数据传输速率,为系统提供高效的数据吞吐能力。

其核心优势在于采用了1.35V低电压标准(DDR3L),工作电压范围1.283V~1.45V,显著优化了功耗表现。同时,器件支持-40°C至105°C的扩展工业温度范围,并采用96-TFBGA小型化封装,确保了在恶劣环境和空间受限应用中的高可靠性及稳定运行。

  • 型号:MT41K256M16HA-125 AAT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(9x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(9x14)
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