NAND512R3A2SN6E是美光科技推出的一款512Mb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与48-TSOP封装。其核心卖点在于50ns的页写入/访问时间以及1.7V~1.95V的低电压工作范围，实现了快速数据吞吐与低功耗运行的平衡。
该器件提供64M x 8的组织结构，工作温度范围为-40°C至85°C，确保了在宽温环境下的数据可靠性与稳定性。作为一款成熟的并行NAND闪存解决方案，它主要面向需要中等容量、高性价比非易失性存储的嵌入式工业与消费类应用。
- 型号:NAND512R3A2SN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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