M29F400FB5AM6F2 TR是美光科技推出的一款4Mb并行NOR闪存芯片,采用44-SOIC封装。它提供512K x 8位或256K x 16位的可配置存储组织,具备55ns的快速访问时间和写周期时间,支持高效的字节/字编程和扇区擦除操作。
该器件工作电压为4.5V~5.5V,工作温度范围达-40°C~85°C,满足工业级应用环境要求。其标准的异步并行接口简化了与微处理器的连接,适用于需要可靠非易失性存储和代码直接执行的嵌入式系统。
- 型号:M29F400FB5AM6F2 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8,256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC(0.496,12.60mm 宽)
- 供应商器件封装:44-SO
- 想获取M29F400FB5AM6F2 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料