M28W640HSB70ZA6E

M28W640HSB70ZA6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用4M x 16位的存储结构。该器件提供70ns的快速访问时间和写周期时间，确保了高效的数据吞吐和代码执行性能。

其工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。芯片采用64-VFBGA封装，适用于高密度表面贴装应用，主要面向需要可靠非易失性存储和快速随机读取的嵌入式系统。

• 型号:M28W640HSB70ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TFBGA（10.5x6.39）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TFBGA
• 供应商器件封装:64-TFBGA（10.5x6.39）
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