MT41J256M16HA-125:E TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用256M x 16位的组织架构。该器件基于DDR3技术，时钟频率达800MHz，可实现1600 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其工作电压范围为1.425V至1.575V，在保证性能的同时注重功耗管理。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，访问时间为13.75ns，并支持并联接口，适用于需要稳定、高速数据处理的嵌入式应用。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），能满足多种环境下的可靠性要求。
- 型号:MT41J256M16HA-125:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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