NAND256W3A0BN6E

NAND256W3A0BN6E是美光科技推出的一款256Mb（32M x 8位）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件基于非易失的NAND闪存技术，提供稳定的数据存储解决方案。

其核心特性包括50ns的快速页写入和访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保了高效的读写操作和良好的电源兼容性。该芯片支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并通过表面贴装形式满足紧凑型嵌入式设计的需求，适用于需要可靠代码或数据存储的各类电子系统。

• 制造商产品型号：NAND256W3A0BN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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