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MICRON
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS的图片

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT DIE
原厂封装:封装:-
优势价格,MT53B512M16D1Z11MWC2 MS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B512M16D1Z11MWC2 MS的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS是美光科技推出的一款8Gb容量LPDDR4存储芯片,采用512M x 16的DIE结构。该器件专为满足现代移动与嵌入式设备对高速、低功耗内存的需求而设计,其宽位宽接口有助于提升系统数据吞吐能力。

作为标准LPDDR4存储器,它在提供必要性能的同时,着重优化了能效表现,适用于空间和功耗敏感的应用环境。产品以散装形式供应,主要面向批量生产的终端设备制造商。需注意,该型号目前已处于停产状态,适用于既有项目的维护或特定供应链安排。

  • 型号:MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取MT53B512M16D1Z11MWC2 MS的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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