NAND08GW3D2AN6E是美光科技推出的一款8Gb（1G x 8）并行接口NAND闪存存储器，采用48-TSOP封装。该器件基于非易失性NAND闪存技术，提供稳定的数据存储能力，其核心卖点在于25ns的快速访问与写周期时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保了在多种嵌入式系统中的兼容性与性能表现。
其8位并行数据接口简化了与主控芯片的连接，而-40°C至85°C的工业级工作温度范围则使其能够适应严苛的环境要求。这款器件主要面向需要中等存储密度、可靠数据存储及成本控制的嵌入式应用设计。
- 型号:NAND08GW3D2AN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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