NAND16GW3B6DPA6F TR是一款由美光科技制造的16Gb（2G x 8）容量并行接口NAND闪存芯片，采用114-LFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后仍可保持，其核心架构基于成熟的NAND闪存技术。
该芯片提供了25ns的快速写周期时间和访问时间，支持高效的数据读写操作。其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，并能在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用的环境要求。这些参数共同构成了其高可靠性、快速响应及广泛环境适应性的核心卖点。
- 型号:NAND16GW3B6DPA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:114-LFBGA（12x16）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:114-LFBGA
- 供应商器件封装:114-LFBGA（12x16）
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