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MICRON
TE28F640J3D75B TR的图片

TE28F640J3D75B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
原厂封装:封装:56-TSOP
优势价格,TE28F640J3D75B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TE28F640J3D75B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

TE28F640J3D75B TR是一款由美光科技生产的64Mb并行NOR闪存芯片,隶属于成熟的StrataFlash产品系列。该器件提供8位或16位可配置数据宽度,访问时间与写周期时间均为75ns,并在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作,确保了快速、稳定的数据读写性能。

其采用56引脚TSOP封装,支持表面贴装,工作温度范围达-40°C至85°C,满足工业级应用的环境要求。作为非易失性存储器,它适用于需要可靠存储和快速执行固件代码的嵌入式系统,是工业控制、网络通信及汽车电子等领域的经典存储解决方案。

  • 型号:TE28F640J3D75B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:56-TSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:75ns
  • 访问时间:75 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:56-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:56-TSOP
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