MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术，以64G x 8的内部结构组织数据，提供稳定的数据存储解决方案。
其核心特性包括支持高达100MHz时钟频率的并行接口，可实现较高的数据传输速率，工作电压范围为2.7V至3.6V。芯片采用132-LBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式存储应用。该产品已停产，主要面向需要大容量闪存存储的设计。
- 型号:MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-LBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-LBGA
- 供应商器件封装:132-LBGA（12x18）
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