MT46V64M8FN-6:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器。该芯片采用64M x 8位的组织架构，通过并联接口进行高速数据通信，其核心工作时钟频率为167MHz，借助DDR技术实现高效数据传输。
该器件在2.3V至2.7V电压下工作，提供700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，平衡了性能与功耗。其采用60-TFBGA表面贴装封装，适用于0°C至70°C的商业温度环境，主要面向需要可靠、中等带宽内存解决方案的各类嵌入式电子系统。
- 型号:MT46V64M8FN-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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