MT8VDDT6464HY-40BD1是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模组,采用标准的200针SODIMM封装。该模组的数据传输速率高达400MT/s,能够为系统提供显著的内存带宽提升,满足数据密集型应用的需求。
其核心优势在于将标准DDR的高性能与SODIMM封装的紧凑性相结合,适用于空间受限的嵌入式及移动计算平台。严格的时序规范和可靠的电气性能确保了其在各种工业与商业环境下的稳定运行。
- Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HY-40BD1
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 功能总体简述: MODULE SDRAM DDR 512MB 200SODIMM
- 系列: -
- 存储器类型: DDR SDRAM
- 存储容量: 512MB
- 速度: 400MT/s
- 封装/外壳: 200-SODIMM
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