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MICRON
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E的图片

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
原厂封装:产品封装:376-WFBGA
优势价格,MT53D1G64D8NZ-046 WT:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E是美光科技推出的一款64Gb容量的Mobile LPDDR4 SDRAM。该器件采用1.1V低电压供电,时钟频率达到2133MHz,在提供高带宽数据吞吐能力的同时,显著优化了系统功耗,专为追求高性能与长续航的移动计算平台设计。

其核心规格为1G x 64组织架构,采用376-WFBGA紧凑型封装,支持表面贴装,适用于空间受限的PCB布局。产品工作温度范围为-30°C至85°C(TC),确保了在广泛环境条件下的稳定运行和数据可靠性,满足从消费电子到工业嵌入式系统等多种应用场景的严格要求。

  • 制造商产品型号:MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb(1G x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:376-WFBGA
  • 想获取MT53D1G64D8NZ-046 WT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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