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MICRON
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR的图片

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
原厂封装:封装:432-VFBGA(15x15)
优势价格,MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR是美光科技生产的一款32Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用432-VFBGA表面贴装封装,以卷带形式供货,核心规格为512M x 64位组织架构,运行时钟频率高达1866MHz,旨在为移动和嵌入式系统提供高带宽的内存解决方案。

其关键优势在于实现了高性能与低功耗的平衡。芯片在1.1V低电压下工作,能显著降低系统整体功耗,同时支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在各类环境条件下的稳定运行。这些特性使其成为对能效、可靠性和空间布局有严苛要求的应用的理想选择。

  • 型号:MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:432-VFBGA(15x15)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:432-VFBGA
  • 供应商器件封装:432-VFBGA(15x15)
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