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MICRON
EDB4064B4PB-1D-F-R TR的图片

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
原厂封装:产品封装:216-WFBGA
优势价格,EDB4064B4PB-1D-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB4064B4PB-1D-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB4064B4PB-1D-F-R TR是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM芯片。它采用64M x 64的并行接口架构,最高时钟频率为533MHz,可提供高速数据传输带宽,满足现代移动设备对内存性能的需求。

该器件工作电压范围宽泛(1.14V~1.95V),体现了优异的低功耗特性,有助于系统整体能效优化。其采用216-WFBGA小型化封装,支持-30°C至85°C的工业级工作温度,并供应卷带包装,非常适合空间受限且要求高可靠性的表面贴装应用场景。

  • 制造商产品型号:EDB4064B4PB-1D-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb(64M x 64)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:216-WFBGA
  • 想获取EDB4064B4PB-1D-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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