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MICRON
MT61M256M32JE-10 N:A TR的图片

MT61M256M32JE-10 N:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC RAM 8GBIT PAR 1.25GHZ 180FBGA
原厂封装:封装:180-FBGA(12x14)
优势价格,MT61M256M32JE-10 N:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT61M256M32JE-10 N:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT61M256M32JE-10 N:A TR是美光科技生产的一款8Gb容量GDDR6 SGRAM芯片,采用256M x 32位架构。该器件基于先进的GDDR6技术,核心优势在于其高达1.25GHz的时钟频率,能够为系统提供极高的数据传输带宽,满足图形渲染和高性能计算对内存速度的极致要求。

该芯片工作电压范围为1.21V至1.29V,在提供强大性能的同时兼顾了能效。其采用180-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC),确保了在紧凑空间和一定热环境下的稳定性和可靠性。这款并联接口的RAM主要面向对内存带宽有严苛需求的应用场景。

  • 型号:MT61M256M32JE-10 N:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:180-FBGA(12x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC RAM 8GBIT PAR 1.25GHZ 180FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:RAM
  • 技术:SGRAM - GDDR6
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.25 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.21V ~ 1.29V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:180-TFBGA
  • 供应商器件封装:180-FBGA(12x14)
  • 想获取MT61M256M32JE-10 N:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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