MT29F4G08ABBDAH4:D TR是美光科技推出的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和512M x 8位的内部结构。该芯片工作电压为1.7V至1.95V，支持0°C至70°C的商业温度范围，并采用节省空间的63-VFBGA表面贴装封装。
其核心优势在于提供了可靠的非易失性数据存储解决方案，适用于对功耗和空间有要求的嵌入式系统。作为有源状态的成熟产品，它能够满足网络设备、工业控制及消费电子等领域对固件存储和数据记录的中等容量需求。
- 型号:MT29F4G08ABBDAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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