MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR是美光科技推出的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心架构支持高效的数据管理，提供非易失性存储解决方案。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，时钟频率可达267MHz，确保了高速数据访问性能。其显著优势在于宽广的工业级工作温度范围（-40°C至85°C），使其能够适应严苛的环境要求，满足高可靠性应用的需求。
- 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：闪存 - NAND
- 存储容量：128Gb（16G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：267MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
- 想获取MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
