MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR是美光科技推出的一款24Gb容量、基于LPDDR4技术的移动SDRAM。该器件采用768M x 32的组织结构,在1.866GHz的时钟频率下运行,可提供高达3733 MT/s的数据传输率,旨在满足现代高性能嵌入式系统对高带宽和低延迟的严格要求。
其核心优势在于极低的功耗设计,采用0.6V核心电压与1.1V I/O电压,并支持多种省电模式,显著优化了能效比。同时,该组件符合AEC-Q100汽车级标准,工作温度范围达-30°C至85°C(TC),并通过200-VFBGA封装实现紧凑的物理尺寸,确保了在汽车、工业及高端消费电子等严苛应用环境中的高可靠性和长期稳定性。
- 型号:MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:24Gb
- 存储器组织:768M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.866 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-VFBGA
- 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 想获取MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料