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MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR
的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
美光(MICRON)
功能简述:
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
原厂封装:
封装:132-VBGA(12x18)
优势价格,MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR的技术资料下载
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
型号:MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:132-VBGA(12x18)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(TLC)
存储容量:512Gb
存储器组织:64G x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V
工作温度:0°C ~ 70°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:132-VBGA
供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
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