M58LT128HSB8ZA6E是一款128Mb（8M x 16位）并行NOR闪存芯片，采用1.7V至2.0V低电压供电，最大时钟频率52MHz，访问时间85ns，支持高速数据读写。其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和80-LBGA表面贴装封装，适用于严苛环境下的嵌入式系统。
该芯片基于NOR闪存技术，提供非易失性存储，适合存储启动代码和执行就地执行（XIP）应用。其并联接口和快速写入周期（85ns）能满足实时性要求高的控制与通信设备需求，尽管产品已停产，但在存量工业与汽车电子项目中仍具应用价值。
- 型号:M58LT128HSB8ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
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