M29DW256G70ZA6F TR

M29DW256G70ZA6F TR是美光科技生产的一款256Mbit并行NOR闪存，采用16位数据宽度（16M x 16）架构，提供非易失性存储解决方案。该器件具备70ns的快速访问时间和写周期时间，支持在2.7V至3.6V电压范围内工作，适用于对数据读取和编程速度有较高要求的嵌入式应用。

其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和64-TBGA表面贴装封装，确保了在严苛环境下的可靠性和紧凑型设计集成。该芯片适用于需要可靠代码存储与执行的场景，如工业控制、通信设备及汽车电子系统。

• 制造商产品型号：M29DW256G70ZA6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：256Mb（16M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
• 想获取M29DW256G70ZA6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料