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MICRON
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR的图片

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:产品封装:200-WFBGA
优势价格,MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR是美光科技生产的一款12Gb容量、基于Mobile LPDDR4技术的SDRAM。该器件采用384M x 32的组织结构,运行时钟频率高达2.133GHz,能够为系统提供高带宽的数据通道,满足密集型计算应用的需求。

其核心优势在于高性能与低功耗的平衡。器件采用0.6V和1.1V的双电压供电,并具备-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在严苛环境下的可靠性与能效。其200-WFBGA的小型化封装形式,适合对空间和功耗有严格要求的移动及嵌入式设计。

  • 制造商产品型号:MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb(384M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133GHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:0.6V,1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
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