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MICRON
MT40A256M16GE-062E IT:B TR的图片

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(9x14)
优势价格,MT40A256M16GE-062E IT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A256M16GE-062E IT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A256M16GE-062E IT:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用256M x 16的存储结构,通过并联接口与主控制器连接,其核心时钟频率可达1.6GHz,实现高达3200MT/s的数据传输率,能够显著提升系统的数据处理带宽。

该芯片工作于1.2V典型电压,具备优异的能效表现。其设计支持-40°C至95°C的宽工作温度范围,并采用96-TFBGA表面贴装封装,确保了在工业及嵌入式等严苛环境下的高可靠性与紧凑的板级布局。这些特性使其适用于对性能、功耗和环境适应性有严格要求的应用。

  • 型号:MT40A256M16GE-062E IT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(9x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(9x14)
  • 想获取MT40A256M16GE-062E IT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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