MT40A2G4WE-075E:D TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用78-TFBGA封装和卷带包装。该器件基于DDR4技术标准,内部架构为2G x 4位组织,通过并联接口实现高速数据访问。
其核心性能表现为高达1.33GHz的时钟频率,提供卓越的数据传输带宽。工作电压范围优化在1.14V至1.26V,在提升性能的同时有效控制了功耗。该芯片支持0°C至95°C(TC)的工作温度范围,适用于对可靠性和性能有较高要求的计算与通信平台。
- 型号:MT40A2G4WE-075E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(8x12)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(8x12)
- 想获取MT40A2G4WE-075E:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料