MT47H64M8CF-25E:G是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，在400MHz的时钟频率下运行，实现了高达800Mbps/pin的数据传输速率，为核心处理单元提供了高效的数据吞吐通道。
其关键参数包括1.8V典型工作电压、15ns的写周期时间以及400ps的快速访问时间，这些特性共同保障了系统低延迟和高响应的性能需求。芯片采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于对空间和可靠性有要求的各类嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT47H64M8CF-25E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
- 想获取MT47H64M8CF-25E:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
