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MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR的图片

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用128M x 32位的组织架构,运行时钟频率高达1.866GHz,可提供高达3733MT/s的数据传输率,旨在满足现代移动和嵌入式应用对高带宽内存的迫切需求。

其核心优势在于卓越的能效比,工作电压低至0.6V (VDDQ) 和1.1V (VDD),显著降低了动态和静态功耗。器件采用200球WFBGA小型化封装,支持表面贴装,并具备-40°C至95°C的扩展工业温度范围,确保了在空间受限及环境严苛的应用中的可靠运行。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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