MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G是美光科技的一款多芯片封装存储器，在一个162-VFBGA封装内集成了2Gb NAND Flash和1Gb LPDDR2 DRAM。这种集成设计实现了非易失性存储与高速易失性缓存的紧密结合，为空间受限的嵌入式系统提供了高密度的存储解决方案。
该器件NAND Flash的组织结构为256M x 8，用于大容量数据存储；LPDDR2 DRAM的组织结构为32M x 32，运行时钟频率高达533MHz，可作为系统的高速工作内存或缓存。其核心优势在于通过单一的1.8V电源供电和并联接口，简化了电路设计，并支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:256M x 8（NAND），32M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 想获取MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
