MT47H64M8CB-3:B是美光科技生产的一款512Mb DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件在333MHz的时钟频率下运行，提供高达667MT/s的数据传输速率，其核心访问时间低至450ps，写周期时间为15ns，确保了高效的数据处理能力。
芯片工作电压为1.7V至1.9V，采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C。其并联接口与标准DDR2协议兼容，适用于需要中等容量、高带宽内存的各类嵌入式与工业应用。
- 型号:MT47H64M8CB-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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