MT49H8M36BM-33 IT:B是一款由美光科技生产的288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36位的存储结构。该器件以300MHz的时钟频率运行，并提供20ns的快速访问时间，旨在满足对数据吞吐速率有严格要求的高性能应用。
其工作电压为1.8V典型值，支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定操作。芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的嵌入式系统设计，为网络基础设施、专业图像处理及工业控制等领域的缓冲和内存扩展需求提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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