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MICRON
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR的图片

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR4 SDRAM,采用128M x 32位组织架构。该芯片的核心优势在于其高达2.133GHz的时钟频率,可提供4266MT/s的数据传输速率,满足现代移动与嵌入式应用对高内存带宽的迫切需求。

同时,器件采用了0.6V与1.1V的双电压供电设计,并符合LPDDR4标准的低功耗特性,在提供高性能的同时实现了优异的能效比。其200-ball WFBGA封装和-40°C至125°C的宽工作温度范围,使其能够适应从消费电子到汽车、工业等各类紧凑型、高可靠性应用场景的严苛要求。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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