MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失，为核心系统数据与代码提供了可靠的存储介质。
其技术规格突出了高环境适应性与集成便利性。工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平。更关键的是，其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，达到了工业级乃至部分车规级应用的要求，确保了在恶劣温度条件下的稳定运行。表面贴装的封装形式便于自动化生产，适合空间紧凑的现代电子设计。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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