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MICRON
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR的图片

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
原厂封装:封装:216-WFBGA(12x12)
优势价格,EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR是美光科技推出的一款4Gb容量、采用并行接口的移动LPDDR2 SDRAM芯片,采用216-WFBGA卷带包装。其核心卖点在于平衡了性能与功耗,提供高达533MHz的时钟频率以实现高速数据访问,同时工作电压范围宽达1.14V至1.95V,支持先进的电源管理功能,有助于延长便携式设备的电池续航。

该器件设计用于表面贴装,工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在恶劣环境下的稳定性,主要面向空间和功耗受限的嵌入式应用。需要注意的是,此型号目前已处于停产状态,在选型时需评估后续供应情况。

  • 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:216-WFBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:64M x 64
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:216-WFBGA
  • 供应商器件封装:216-WFBGA(12x12)
  • 想获取EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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