MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR

MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与100-TBGA封装。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，工作电压为2.7V~3.6V，时钟频率支持100MHz，适用于表面贴装工艺。

其核心卖点在于高存储密度（32G x 8组织）与并行数据传输能力，能够满足对存储空间和吞吐性能有较高要求的应用。芯片设计用于商业温度范围（0°C至70°C）环境，为固态存储、嵌入式系统等应用提供了一个大容量的存储组件解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-TBGA
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