MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E是美光科技推出的一款32Gb容量、采用移动LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该芯片以512M x 64的组织结构，提供了高达2133MHz的运行速度，能够为系统带来显著的数据带宽提升。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡。在1.1V的工作电压下，它集成了LPDDR4标准的多种节能特性，有效延长了移动设备的电池续航。同时，其宽泛的工作温度范围（-30°C至105°C）确保了在各类环境下的稳定性和可靠性，适用于从消费电子到汽车、工业等多元化领域。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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