MT41K256M4JP-125:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 4的并行架构。该器件基于DDR3技术，运行时钟频率为800MHz，实现高达1600 MT/s的数据传输速率，能够显著提升系统的数据吞吐性能。
其工作电压为1.283V至1.45V，在提供高速访问（典型访问时间13.75ns）的同时，兼顾了能效。该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的工业级工作温度范围，适用于对可靠性和空间有严格要求的嵌入式及网络通信应用场景。
- 型号:MT41K256M4JP-125:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
- 想获取MT41K256M4JP-125:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
