MT40A256M16GE-083E IT:B TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用256M x 16位组织架构。该器件基于DDR4技术标准，提供高达1.2GHz的时钟频率，实现2400MT/s的数据传输速率，能够显著提升系统在处理大量数据时的带宽性能。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升速度的同时优化了功耗表现。产品采用96-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在工业及嵌入式等严苛应用环境下的稳定运行。该芯片适用于需要高速、高可靠性并行内存接口的各类计算和通信平台。
- 型号:MT40A256M16GE-083E IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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