NAND512R3A2SZAXE是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。其核心卖点在于50ns的快速页写入与访问时间，以及1.7V至1.95V的低电压工作范围，兼顾了性能与能效。
该器件属于非易失性存储器，工作温度范围为-40°C至85°C，具备工业级可靠性，适用于表面贴装工艺。其并联接口设计便于与多种微控制器直接连接，为嵌入式系统提供了稳定、中等密度的数据存储解决方案。
- 型号:NAND512R3A2SZAXE
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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