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MICRON
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B的图片

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B是美光科技推出的一款16Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片,采用256M x 64位架构,运行时钟频率达2133MHz,在1.1V工作电压下可实现高效数据吞吐。其设计针对移动与嵌入式平台优化,兼顾高性能与低功耗需求。

该器件支持-30°C至105°C的宽工作温度范围,并采用FBGA封装,适用于严苛环境下的可靠运行。凭借LPDDR4技术的高带宽与能效特性,该芯片可为复杂计算任务提供稳定的存储支持,适用于从消费电子到工业控制的多类应用场景。

  • 制造商产品型号:MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(256M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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