MT47H64M16NF-187E:M是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器,采用64M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,运行时钟频率为533MHz,实现1066 MT/s的数据传输速率,提供高带宽的数据存取能力。
其核心特性包括1.7V至1.9V的低工作电压范围,350ps的快速访问时间,以及0°C至85°C的工业级工作温度范围。芯片采用84-TFBGA表面贴装封装,适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式设计。该产品为需要稳定、高性能易失性存储的系统提供了成熟的解决方案。
- 型号:MT47H64M16NF-187E:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- 想获取MT47H64M16NF-187E:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料