MT49H8M36FM-25 TR

MT49H8M36FM-25 TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36的组织结构。该器件设计用于提供高速数据访问，其核心工作电压为1.8V（范围1.7V-1.9V），典型访问时间为20ns，支持高达400MHz的时钟频率，能够满足对数据传输带宽有较高要求的应用。

芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在宽温环境下的稳定性。其并联接口便于与主控处理器直接连接，简化了系统内存架构。这款DRAM适用于需要中等容量、高吞吐率缓冲存储方案的各类电子系统。

• 型号:MT49H8M36FM-25 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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