MT41K128M8JP-125:G TR

MT41K128M8JP-125:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用128M x 8位的组织架构。该器件核心优势在于其1.35V低电压操作，相比传统DDR3显著降低了动态和静态功耗，同时支持800MHz时钟频率，实现高达1600MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，在性能与能效间取得了良好平衡。

其采用78-TFBGA小型化封装，适用于表面贴装工艺，便于在空间受限的PCB上实现高密度布局。器件支持0°C至95°C的宽工作温度范围（TC），增强了在工业及严苛环境下的适用性。此型号为并行接口DRAM，遵循标准的DDR3L规范，为嵌入式系统、网络设备和各类需要高效缓冲内存的应用提供了可靠的存储解决方案。

• 型号:MT41K128M8JP-125:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
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