MT47H64M8SH-25E AAT:H是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的并行架构。该器件运行时钟频率达400MHz，数据访问时间为400ps，支持高达800Mbps/pin的数据传输速率，旨在提供高效的数据吞吐性能。
其工作电压为1.8V（兼容1.7V~1.9V），采用60-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，适用于对环境适应性和可靠性有较高要求的工业及嵌入式应用场景。
- 型号:MT47H64M8SH-25E AAT:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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